imec и Intel разработали логику на основе спинтроники и обещают выйти за пределы современных техпроцессов

Нe сeкрeт, чтo сoврeмeнныe тexпрoцeссы приближaются к прeдeлу свoиx вoзмoжнoстeй. Исслeдoвaтeли всeгo мирa ищут выxoд зa сии грaницы. Пeрспeктивнoй прeдстaвляeтся спинтрoникa — испoльзoвaниe спинa элeктрoнa в кaчeствe нoситeля инфoрмaции и, чтo бoлee вaжнo, в кaчeствe элeмeнтa пeрeключeния в лoгикe. Видеопамять на спиновом токе еще реализована — это магниторезистивная RAM. С логикой сложнее, так последние разработки imec и Intel внушают оптимизм.

Исследователи изо imec и Intel во главе с Элин Рэйменантс (Eline Raymenants) создали конструкция спинтронной логики, которым позволено полностью управлять с помощью электрического тока, а приставки не- магнитными полями. Команда Intel и imec представила свою работу для недавнем мероприятии IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).

Подчеркнём, изложение идёт об управлении вот то-то и есть электрическим током, а не магнитным полем, что-то уже реализовано в памяти MRAM и в других проектах спинтронной памяти, хоть бы, в трековой памяти IBM, ячейках магнитной памяти российской разработки и в других подобных исследованиях. Координация током позволяет создать побольше компактное и быстрое переключающее приспособление. К тому же логика в токовой спинтронике может взяться легко сопряжена с современной КМОП-логикой, кое-что позволит создавать гибридные схемы.

Новая проходка imec и Intel напоминает реализацию трековой памяти IBM, о которой автор этих строк вспоминали выше. По нанопроволоке запускается момент-поляризованный ток в виде последовательностей магнитных доменов, разделённых доменными стенами. Магнитные домены в экий проволоке следуют строго наперсник за другом, а информация передаётся в виде ориентации магнитного полина. Магнитное поле отдельного домена, в свою последовательность, создаётся согласованной ориентацией спинов электронов. Ориентировка спинов вверх, скажем, представлена 0, а ввысь — 1. Доменные стены в подобный схеме — это переход в лоне одним направлением намагниченности и соседним. Как раз они служат главным управляющим элементом к переключателей.

Секрет разработки imec и Intel в новом материале в целях магнитных туннельных переходов (MTJ). Числом словам учёных, новый фурнитура оптимизирован для более быстрого перемещения доменных стен. Переходы считывают информацию с дорожки — последовательности магнитных доменов и доменных стен — и действуют в духе логические входы. На IEDM исследователи представили соображение концепции: из нескольких магнитных туннельных переходов создали пашущий логический элемент И.

Пример трековой памяти с перемещением до нанопроволоке магнитных доментов и доменных стенок.

В книжка же переходе MTJ записывается исходны данные на дорожку. Для сего в устройстве Intel и imec используется та а технология, что и сегодня в MRAM. Элемент пропускает спин-поляризованный гумно, большинство электронов которого имеют спины ориентированные в одном направлении, при помощи магнитный домен в переходе. Оный ток может изменить тенденция магнитного поля, что в процессе создаёт alias редактирует доменные стенки — кодирует цепочка в или 1.

Исследователи говорят, что такое? их следующим шагом перестаньте демонстрация устройства в действии. Они разработали мажоритарный член (переключатель по большинству), кой дает положительный результат, (не то большинство его входных данных являются положительными. Хотя учёным еще предстоит сообразно-настоящему изучить этот проектирование. Только тогда исследователи узнают, ни дать ни взять их спинтронная логика перестаньте противостоять наработкам КМОП.

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.